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    本發明提供一種雷射退火裝置及雷射退火方法。一般的脈衝波形從振盪開始時刻開始急劇上昇，顯示出峰值後緩慢降低。在功率顯示峰值的時刻，退火對象物的表面被急劇加熱而成為高溫。由於顯示峰值的時間為一瞬間，因此很難對退火對象物的較深區域進行充份的加熱。本發明的雷射退火裝置，若輸入脈衝電流，則從雷射二極管射出雷射脈衝。光學系統將從雷射二極管射出之雷射光束導光至退火對象物。驅動器向雷射二極管供給具有頂部平坦的時間波形且脈衝寬度為1μs~100μs的脈衝電流。
    公开号:TW201320157A
    申请号:TW101132734
    申请日:2012-09-07
    公开日:2013-05-16
    发明作者:Naoki Wakabayashi；Masafumi Yorozu
    申请人:Sumitomo Heavy Industries；
    IPC主号:H01L29-00
    专利说明:
    雷射退火裝置及雷射退火方法
    本發明係有關一種雷射退火裝置及雷射退火方法。
    半導體晶圓，特別是矽晶圓的熱處理中，一般應用利用電爐之加熱及快速熱退火(RTA)等。應用RTA時之加熱時間為毫秒級。近年來，加熱時間短於1μs的雷射尖峰退火的應用也在推進中。
    加熱時間短於1μs的雷射尖峰退火中，由於加熱時間較短，半導體晶圓的厚度方向上的溫度梯度變得陡峭。因此，很難將較深區域加熱成所希望的溫度而不使半導體晶圓的表面溫度過度上昇。另一方面，RTA中，由於加熱時間較長，因此導致半導體晶圓整體的溫度上昇。由於半導體晶圓的溫度上昇，有時會產生半導體晶圓的翹曲、滑動(斷層)等。
    一般，能夠應用於半導體退火之高輸出脈衝雷射的脈衝寬度短於1μs或在數百μs以上。 (先前技術文獻) (專利文獻)
    專利文獻1：日本特開2006-351659號公報
    專利文獻2：日本特開2011-60868號公報
    專利文獻3：日本特開2011-119297號公報
    一般的脈衝波形從振盪開始時刻開始急劇上昇，顯示出峰值後緩慢降低。在功率顯示峰值的時刻，退火對象物的表面被急劇加熱而成為高溫。由於顯示峰值的時間為一瞬間，因此很難對退火對象物的較深區域進行充份的加熱。
    依本發明的一種觀點，提供如下一種雷射退火裝置，該雷射退火裝置具有：雷射二極管，若輸入脈衝電流，則射出雷射脈衝；光學系統，將從前述雷射二極管射出之雷射光束導光至退火對象物；及驅動器，向前述雷射二極管供給具有頂部平坦的時間波形且脈衝寬度為1μs~100μs的脈衝電流。
    依本發明的另一種觀點，提供如下一種雷射退火方法，該方法具有：在第1表面上形成有含有雜質擴散區域之元件結構的矽晶圓的與前述第1表面相反側的第2表面，離子注入摻雜劑之製程；及注入前述摻雜劑後，以前述矽晶圓的表面上的功率密度為250kW/cm2~750Kw/cm2的條件，向前述矽晶圓的前述第2表面照射波長690nm~950nm、脈衝寬度10μs~100μs、時間波形頂部平坦的脈衝雷射光束，並使前述摻雜劑活性化之製程。
    藉由使脈衝電流的時間波形成為頂部平坦，即使在較低的峰值功率密度下，也能夠進行充份的退火。加熱時間雖依賴於脈衝電流的脈衝寬度，但幾乎不依賴於雷射光束的射束截面的形狀。因此，能夠高精確度地控制加熱時間。
    第1圖中示出實施例之雷射退火裝置之概要圖。雷射光源12藉由驅動器10而被驅動。雷射光源12使用例如振盪波長為690nm~950nm的雷射二極管。本實施例中，使用了振盪波長為800nm的雷射二極管。
    雷射光源12具有橫長的複數個發光點。複數個發光點在其長邊方向上配置成一列。各發光點的長軸方向與短軸方向的尺寸比例為100：1。發光點的長軸方向的尺寸與互相鄰接之2個發光點的間隔幾乎相等。換言之，發光點與非發光區域以等間隔交替排列。
    一般，長軸方向上的雷射光束的擴展角大於短軸方向上的雷射光束的擴展角。因此，很難將長軸方向上的射束截面縮小為較小。當使用YAG雷射等擴展角較小的雷射光束時，能夠藉由將射束截面縮小為較小來提高功率密度。然而，當使用雷射二極管時，由於很難將長軸方向上的射束截面縮小為較小，因此很難藉由縮小射束截面來提高功率密度。
    以下說明之實施例中，與YAG雷射等的雷射退火相比，無需提高功率就能夠進行充份的退火。
    驅動器10包括電容器10A及脈衝波形整形電路10B。脈衝波形整形電路10B進行電流波形的整形，以使來自電容器10A的放電電流例如成為頂部平坦的脈衝電流。頂部平坦的脈衝電流供給於雷射光源12。脈衝波形整形電路10B例如能夠使用功率MOSFET或IGBT等功率半導體元件和控制電路來構成。雷射光源12藉由從驅動器10供給脈衝電流來進行雷射振盪，並射出雷射脈衝。
    從雷射光源12射出之雷射光束入射於半波板13。半波板13藉由改變其慢軸的方向來改變雷射光束的偏振方向。透射半波板13之雷射光束透射均化器15後，入射於分束器16。分束器16朝向射束阻尼器17反射入射之雷射光束的一部份成份，並使剩餘的成份直線前進。藉由改變半波板13的慢軸方向來改變偏振方向，從而能夠控制在分束器16中直線前進之成份比率。
    在分束器16中直線前進之雷射光束透射1/4波板19及聚光透鏡20，入射於作為退火對象之矽晶圓30。矽晶圓30保持於可動工作台21。藉由均化器15和聚光透鏡20，矽晶圓30表面上的射束截面成為長條形狀，並且在長軸及與該長軸正交之方向(寬度方向)上的光強度被均勻化(空間輪廓成為頂部平坦)。均化器15例如能夠使用萬花筒、光纖、陣列透鏡及複眼透鏡等。可動工作台21使矽晶圓30在射束截面的寬度方向上移動。
    在矽晶圓30的表面反射之反射光透射聚光透鏡20及1/4波板19，入射於分束器16。藉由透射2次1/4波板19，偏振方向改變90°。因此，反射光被分束器16反射，並入射於射束阻尼器18。
    第2圖中，作為以實施例之方法製造之半導體裝置的例子示出絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)之截面圖。IGBT藉由在n型的矽基板30的一面形成發射極和柵極，另一面形成集電極來製作。形成發射極和柵極之面的結構以與一般的MOSFET的製作製程相同的製程製作。例如，如第2圖所示，在矽基板30的表面配置p型的基極區33、n型的發射區34、柵電極35、柵極絕緣膜36及發射電極37。能夠以柵極-發射極之間的電壓進行電流的開關控制。
    在矽基板30的相反側的面上形成有p型的集電極層39。根據需要，可以在集電極層39與矽基板30之間形成n型的緩衝層38。例如藉由離子注入分別將硼及磷作為雜質進行注入並藉由進行活性化退火來形成集電極層39及緩衝層38。在該活性化退火中應用第1圖所示之雷射退火裝置。集電極40在活性化退火後形成於集電極層39的表面。
    第3圖A中示出實施例之半導體裝置的製造方法中使用之脈衝雷射光束之時序圖。脈衝寬度PW的雷射脈衝以頻率f、即週期1/f照射於矽晶圓30。在未射出該雷射脈衝期間，從驅動器10向雷射光源12(第1圖)供給待機時電流，以使不對矽晶圓30產生影響之程度的較低強度的雷射光束或自然放出光從雷射光源12放射。例如，將待機時電流的大小設為射出雷射脈衝時的驅動電流的1%以下。
    與完全關閉雷射二極管時相比，在未射出雷射脈衝期間更能夠延長雷射二極管的壽命。
    退火時的矽晶圓30上已形成有第2圖所示之表面側的元件結構，背面側離子注入有用於形成緩衝層38及集電極層39之雜質(摻雜劑)。在該階段注入之摻雜劑未被活性化。
    第3圖B中示出矽晶圓30(第1圖)的雷射照射面上之射束截面23。射束截面23具有在單方向上較長的長條形狀。由於光強度分佈在長邊方向及寬度方向上已藉由均化器15(第1圖)被均勻化，因此長邊方向及寬度方向上的光強度分佈具有大致頂部平坦形狀。
    將長邊方向的長度設為L，光束寬度設為Wt。一邊使矽晶圓30向射束截面23的寬度方向移動一邊進行脈衝雷射光束的照射。藉由使矽晶圓30移動，矽晶圓30的表面被脈衝雷射光束掃描。藉由向光束寬度方向掃描脈衝雷射光束，能夠對一邊的長度與射束截面的長度L相等的長方形的區域進行退火。
    將1個雷射脈衝的射束截面(第3圖B中以實線表示)與接著入射之雷射脈衝的射束截面(第3圖B中以虛線表示)重疊之區域的寬度設為Wo。將重疊率定義為Wo/Wt。若將矽晶圓30的移動速度設為V，則Wt-Wo=V/f成立。因此，重疊率由脈衝的重複頻率f、光束寬度Wt及矽晶圓30的移動速度V決定。實施例中，將光束寬度Wt設為240μm。
    第4圖中示出向雷射光源12供給之脈衝電流的時間波形A與從雷射光源12射出之脈衝雷射的時間波形LI。橫軸以單位“μs”表示經過時間，左縱軸以任意單位表示電流的大小，右縱軸以任意單位表示光強度。雷射光束的光強度藉由由射束阻尼器截捕雷射光束並以光電二極管檢測來自射束阻尼器的散射光來求得。
    可知從雷射光源12射出之雷射光束的光強度易隨電流的變化而變化。藉由將脈衝電流的波形設為頂部平坦，能夠將從雷射光源12射出之雷射脈衝的波形也設為頂部平坦。在此，“頂部平坦”是指波形的頂部為能夠近似直線的形狀。直線近似在近似部份的實際測定值落在平均值±10%的範圍內的條件下進行。
    當近似直線的部份的時間寬度相對於脈衝寬度之比較小時，很難判定是否為頂部平坦。若電流脈衝或雷射脈衝的能夠近似直線的部份的時間寬度長於時間波形的上昇時間及下降時間中較短的一方，則能夠稱為“頂部平坦”。其中，“上昇時間”設為從第3圖A所示之待機狀態開始，到上昇至頂部平坦部份的平均強度的90%為止的時間。“下降時間”設為從降低至頂部平坦部份的平均強度的90%開始的時間，到待機狀態為止的時間。“脈衝寬度”是指脈衝波形的半值全幅。
    例如，若頂部平坦部份的時間寬度短於上昇時間及下降時間，則也能夠想到類似於三角波之時間波形。如上述，若頂部平坦部份的時間寬度長於時間波形的上昇時間及下降時間中較短的一方，則能夠與三角波區分。
    參閱第5圖A及第5圖B，對為了確認將雷射脈衝的時間波形設為頂部平坦之效果而進行之模擬實驗進行說明。
    第5圖A中示出用於模擬實驗之雷射脈衝的時間波形。橫軸以單位“μs”表示從脈衝上昇時刻開始的經過時間，縱軸以任意單位表示功率密度。對頂部平坦的時間波形WF1及從一般的脈衝雷射振盪器射出之雷射脈衝的時間波形WF2進行模擬實驗。設2個時間波形WF1、WF2的脈衝能量及光束尺寸均相同。由於脈衝能量相同，因此第5圖A的時間波形WF1的面積與時間波形WF2的面積相同。時間波形WF1的頂部平坦部份的時間寬度為10μs。時間波形WF2的脈衝寬度被調整為後述之第5圖B所示之時間波形WF1、WF2的溫度履歷中表面達到熔點的時間相同。此時，頂部平坦的時間波形WF1的峰值功率成為一般雷射脈衝的時間波形WF2的峰值功率的約50%。另外，時間波形WF1的雷射脈衝的功率密度為550kW/cm2。將雷射光束的波長設為800nm，退火對象物設為矽晶圓。
    第5圖B中示出雷射脈衝入射後之深度0μm、3μm及5μm的位置的溫度變化的模擬實驗結果。橫軸以單位“μs”表示經過時間，縱軸以單位“K”表示溫度。第5圖B中的實線及虛線分別表示入射時間波形WF1及WF2的雷射脈衝時的溫度變化。附加到實線及虛線之數值以單位“μm”表示距矽晶圓的表面的深度。
    深度0μm的溫度變化的頂部幾乎變得平坦是由於表面溫度達到矽的熔點，被賦予矽晶圓之雷射能量作為熔解熱而被消耗掉。可知若使雷射脈衝的時間波形頂部平坦，則較深位置的最高到達溫度變高。作為模擬實驗的前提條件，使頂部平坦的時間波形WF1與一般雷射脈衝的時間波形WF2的脈衝能量相同。從模擬實驗的結果可知，即使脈衝能量密度相同，也能夠藉由使時間波形頂部平坦來更有效地提高較深區域的溫度。換言之，若使雷射脈衝的時間波形頂部平坦，則能夠減少加熱至某一恆定溫度所需的脈衝能量。
    例如，在進行IGBT的集電極側表面的活性化退火時，較佳是抑制相反側表面的溫度上昇，以免形成於相反側表面之擴散區域等的結構物受到損壞。用於IGBT之矽晶圓的厚度例如為100μm左右。若雷射光束照射於矽晶圓，則熱量從雷射照射位置開始各向同性擴散。雷射照射面的相反側的背面溫度幾乎不受雷射脈衝的時間波形之影響，而依賴於被投入之脈衝能量。由於能夠藉由使雷射脈衝的時間波形頂部平坦來減少脈衝能量，因此能夠抑制背面的溫度上昇。這樣，欲抑制背面的溫度上昇時，使雷射脈衝的時間波形頂部平坦是有用的。
    如已說明，若使用雷射二極管來作為雷射光源12(第1圖)，則很難藉由將射束截面縮小為較小來提高功率密度。但是，若使脈衝的時間波形成為頂端平坦形狀，則無需提高功率密度，就能夠將距矽晶圓的表面較深的內部區域加熱至較高之溫度。並且，從雷射二極管的壽命方面來看，將雷射脈衝的峰值功率設定為較低也較佳。
    一般，雷射二極管的輸出與供給於雷射二極管之電流量成比例，因此頂部平坦的時間波形依賴於從驅動器10供給至雷射光源12之脈衝電流的波形。藉由調整脈衝電流的波形，能夠將具有頂部平坦的時間波形的雷射脈衝的脈衝寬度(半值全幅)設定成所希望的值。若設脈衝寬度過長，則與以往的RTA的加熱時間之間的顯著差消失，導致半導體晶圓的厚度方向的整個區域被加熱。為僅對半導體晶圓的表層部附近進行加熱，較佳是將脈衝寬度設為100μs以下。若在脈衝能量密度恆定的條件下縮短脈衝寬度，則峰值功率密度變大，無法得到應用頂部平坦的時間波形的效果。為得到應用頂部平坦的時間波形的顯著效果，將脈衝寬度設為1μs以上較佳。
    實施例之雷射退火方法的加熱時間依賴於脈衝寬度，幾乎不依賴於射束截面的形狀或掃描速度。因此，能夠高精確度地控制加熱時間。
    向矽晶圓30(第1圖)注入硼(B)及磷(P)，在各種雷射照射條件下進行活性化退火。以下，對該評價實驗進行說明。
    第6圖中示出用於評價之試料的深度方向的雜質濃度分佈及載波濃度分佈的測定結果。橫軸以單位“μm”表示深度，縱軸以單位“cm-3”表示濃度。硼的注入在加速能量40keV、劑量1×1015cm-2的條件下進行。磷的注入在加速能量700keV、劑量1×1013cm-2的條件下進行。虛線B0及虛線P0分別顯示剛剛注入後的硼濃度及磷濃度。細實線p1顯示在脈衝寬度15μs、重疊率50%、頻率0.5kHz的條件下進行雷射照射之試料S1的空穴濃度，虛線p2顯示在脈衝寬度15μs、重疊率67%、頻率0.5kHz的條件下進行雷射照射之試料S2的空穴濃度，粗實線p3顯示在脈衝寬度25μs、重疊率67%、頻率0.5kHz的條件下進行雷射照射之試料S3的空穴濃度。另外，脈衝能量密度與第5圖A的應用於模擬實驗的脈衝能量密度相同。細實線n顯示試料S1、S2及S3的電子濃度。3個試料的電子濃度分佈大致重合，因此用1根細實線顯示。
    由於矽基板的表面未熔融，因此表層部的電子濃度分佈呈反映剛注入後之硼濃度分佈之形狀。並且，可知深度2.5μm為止的磷幾乎100%活性化。
    在使被離子注入於矽晶圓中之摻雜劑活性化之退火中，較佳是將脈衝寬度設為10μs~100μs，將功率密度設為250kW/cm2~750kW/cm2。
    上述實施例中，使用了波長為800nm的雷射二極管作為雷射光源12，但也可以使用波長為690nm~950nm的雷射二極管。
    頂部平坦的雷射脈衝的上昇部份對退火幾乎不起作用。即，由於上昇部份有能量損失，因此較佳是設為急劇上昇。作為一例，較佳是將上昇至雷射脈衝波形的直線部份的平均強度的90%為止之時間設為2μs以下。
    作為退火對象的半導體晶圓的表面上形成與晶圓的熱膨漲系數不同的薄膜時，還有時會因溫度的急劇上昇而導致產生薄膜的剝離。當擔憂薄膜的剝離時，較佳是藉由加長脈衝的上昇時間來避免溫度的急劇上昇。
    另一方面，雷射脈衝的下降時間影響被加熱之半導體晶圓的冷卻速度。冷卻速度有時會影響退火效果。若加長下降時間，則能夠減緩冷卻速度。相反，若縮短下降時間，能夠加快冷卻速度。為得到所希望的退火效果，較佳是按照退火的目的來控制雷射脈衝的下降時間。雷射脈衝的下降時間能夠根據供給於雷射光源12(第1圖)之脈衝電流的時間波形進行調整。
    頂部平坦通常是指脈衝的上昇部份與下降部份之間的區域的大小(雷射脈衝時為光強度，電流脈衝時為電流的大小)幾乎恆定。根據退火對象的材質或結構，也可以以適當的比例增加或減少頂部平坦區域中的雷射脈衝的光強度。上述實施例中，對以有效地加熱矽晶圓之較深區域為目的時的雷射脈衝的較佳時間波形進行了說明。根據退火對象的材質或結構，也可以進行雷射脈衝的上昇時間、下降時間及頂部平坦部份的強度增減等的最優化。
    為使從雷射光源12射出之雷射脈衝頂部平坦，較佳是預先在電容器10A中蓄積1脈衝的射出所需的電力。由此，能夠向雷射光源12穩定地供給射出1脈衝所需的電力。
    接著，參閱第7圖A及第7圖B對雷射光束的空間輪廓進行說明。
    第7圖A顯示使用實施例之雷射退火裝置來進行雷射退火時的矽晶圓表面溫度的時間變化的模擬實驗結果。第7圖B顯示使用在射束截面的寬度方向上具有高斯分佈的光束輪廓之雷射光束進行雷射退火時的矽晶圓表面溫度的時間變化的模擬實驗結果。橫軸以單位“μs”表示從雷射光束的照射時刻開始的經過時間，縱軸以單位“K”表示溫度。附加於各曲線上之數值以單位“μm”表示距第3圖B的射束截面23的寬度方向上的中心的距離x。
    在使雷射光束的空間輪廓頂部平坦之實施例中，如第7圖A所示，可知距射束截面的寬度方向中心的距離為100μm以下的區域的溫度幾乎相同。相對於此，如第7圖B所示，以具有高斯分佈的光束截面的雷射光束進行退火時，與第7圖A所示之情況相比，溫度幾乎相同的區域較窄。因此，導致活化率在射束截面的寬度方向上產生偏差。為使活化率在矽晶圓的面內均勻，較佳是使空間輪廓成為頂部平坦。
    根據以上實施例說明了本發明，但本發明不限於這些。例如，能夠進行各種變更、改良及組合等，這對本領域技術人員來講是顯而易知的。
    10‧‧‧驅動器
    10A‧‧‧電容器
    10B‧‧‧脈衝波形整形電路
    11‧‧‧直流電源
    12‧‧‧雷射光源
    13‧‧‧半波板
    15‧‧‧均化器
    16‧‧‧分束器
    17、18‧‧‧射束阻尼器
    19‧‧‧1/4波板
    20‧‧‧聚光透鏡
    21‧‧‧可動工作台
    23‧‧‧射束截面
    30‧‧‧矽晶圓
    33‧‧‧基極區
    34‧‧‧發射區
    35‧‧‧柵電極
    36‧‧‧柵極絕緣膜
    37‧‧‧發射電極
    38‧‧‧緩衝層
    39‧‧‧集電極層
    40‧‧‧集電極
    第1圖係實施例之雷射退火裝置之概要圖。
    第2圖係絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)之截面圖。
    第3圖中，第3圖A係顯示實施例之雷射退火方法中使用之脈衝雷射光束的時間波形的一例之圖，第3圖B係退火對象物上的射束截面之俯視圖。
    第4圖係顯示供給於實施例之雷射退火裝置的雷射二極管的脈衝電流的波形與射出之雷射脈衝的波形的測定結果之曲線圖。
    第5圖中，第5圖A係顯示模擬實驗中使用之頂部平坦型的雷射脈衝之波形與一般的雷射脈衝之波形之曲線圖，第5圖B係顯示頂部平坦型的雷射脈衝及一般的雷射脈衝入射後，矽晶圓的深度0μm、3μm及5μm的位置的溫度變化之曲線圖。
    第6圖係顯示在實施例之雷射退火方法中進行雜質活性化退火後之試料的電子濃度、空穴濃度、磷濃度及硼濃度的測定結果之曲線圖。
    第7圖中，第7圖A係按射束截面內的寬度方向的每一位置顯示向矽晶圓照射射束截面內的空間輪廓為頂部平坦形狀的雷射光束時的溫度變化的模擬實驗結果之曲線圖，第7圖B係按射束截面內的寬度方向的每一位置顯示向矽晶圓照射射束截面內的空間輪廓為高斯分佈的雷射光束時的溫度變化的模擬實驗結果之曲線圖。
    11‧‧‧直流電源
    10‧‧‧驅動器
    10A‧‧‧電容器
    10B‧‧‧脈衝波形整形電路
    12‧‧‧雷射光源
    13‧‧‧半波板
    15‧‧‧均化器
    16‧‧‧分束器
    17、18‧‧‧射束阻尼器
    19‧‧‧1/4波板
    20‧‧‧聚光透鏡
    30‧‧‧矽晶圓
    21‧‧‧可動工作台
    权利要求:
    Claims (7)
    [1] 一種雷射退火裝置，具有：雷射二極管，若輸入脈衝電流，則射出雷射脈衝；光學系統，將從前述雷射二極管射出之雷射光束導光至退火對象物；及驅動器，向前述雷射二極管供給具有頂部平坦的時間波形且脈衝寬度為1μs~100μs的脈衝電流。
    [2] 如申請專利範圍第1項所記載之雷射退火裝置，其中，前述驅動器具有：電容器，蓄積從電源供給之電力；及脈衝波形整形電路，從前述電容器取出前述脈衝電流。
    [3] 如申請專利範圍第2項所記載之雷射退火裝置，其中，前述驅動器在向前述雷射二極管供給前述脈衝電流之前，在前述電容器中蓄積大於前述雷射脈衝的一次輸出所需電力的電力。
    [4] 如申請專利範圍第1至3項中任一項所記載之雷射退火裝置，其中，前述驅動器向前述雷射二極管週期性地供給前述脈衝電流，在未供給前述脈衝電流期間，暫且向前述雷射二極管供給前述脈衝電流的最大電流值的10%以下大小的電流。
    [5] 如申請專利範圍第1至3項中任一項所記載之雷射退火裝置，其中，前述脈衝電流的時間波形的頂部平坦部份的時間寬度，長於上昇時間及下降時間中較短的一方。
    [6] 如申請專利範圍第1至3項中任一項所記載之雷射退火裝置，其中，前述光學系統包含均化器，前述均化器使前述退火對象物表面上的射束截面成為長條形狀，並且使前述射束截面的長邊方向及寬度方向上的光強度分佈成為頂部平坦形狀。
    [7] 一種雷射退火方法，具有：在第1表面上形成有含有雜質擴散區域之元件結構之矽晶圓的與前述第1表面相反側的第2表面，離子注入摻雜劑之製程；及注入前述摻雜劑後，以前述矽晶圓的表面上的功率密度為250kW/cm2~750kW/cm2的條件，向前述矽晶圓的前述第2表面照射波長690nm~950nm、脈衝寬度10μs~100μs、時間波形頂部平坦的脈衝雷射光束，並使前述摻雜劑活性化之製程。
    类似技术:
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    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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